Regensburg 2004 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 22: Postersitzung
DS 22.40: Poster
Tuesday, March 9, 2004, 14:30–17:00, Poster B
Eigenschaften magnetischer Tunnelelemente mit ECWR-Plasma oxidierten Barrieren — •Rainer Kaltofen, Ingolf Mönch, Joachim Schumann, Dieter Elefant und Hartmut Vinzelberg — IFW Dresden, Postfach 270116, 01171 Dresden
Für die Verwendung von magnetischen Tunnelelementen als Sensoren oder Speicher sind Tunnelbarrieren mit unterschiedlichen Widerständen erforderlich. Die chemisch-strukturelle und morphologische Perfektion der eingesetzten Tunnelbarrieren bestimmt den Tunnelwiderstand, das magnetische Schaltverhalten und die Stabilität der Elemente. In dieser Arbeit wird die Herstellung von AlOx-Barrieren durch Oxidation von Al-Schichten unterschiedlicher Dicke in einem Elektron-Zyklotron-Wellen-Resonanz angeregten Sauerstoffplasma untersucht. In Abhängigkeit von den Betriebsbedingungen der Plasmaquelle variiert die Dissoziation der Sauerstoffmoleküle in O-Atome und -Ionen zwischen 20 und 80%, die kinetische Energie der Ionen beim Auftreffen auf die Al-Schicht zwischen 20 und 50 eV. Es wurden Tunnelwiderstände zwischen 100kΩ µm2 und 100MΩ µm2 eingestellt, und aus den Tunnelkennlinien Parameter der Barriere ermittelt. Der Tunnelmagnetowiderstand wurde für ungetemperte und zur Bildung der antiferromagnetischen NiMn-Phase bis 700K getemperte NiMn/CoFe/AlOx/CoFe/FeNi Schichtstapel bestimmt.