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DS: Dünne Schichten

DS 22: Postersitzung

DS 22.41: Poster

Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B

Die Heusler-Basislegierung Co₂CrAl als Elektrodenmaterial für Dünnschicht-TMR-Elemente — •Joachim Schumann, Alexander Burkov, Jochen Werner, Günter Behr, Hartmut Vinzelberg, Dieter Elefant und Rainer Kaltofen — Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden, Helmholtzstr. 20, D-01069 Dresden

Magnetische Tunnelelemente mit großem Magnetowiderstand (≥40%) benötigen Elektroden mit hoher Spinpolarisation. Halbmetallische Heuslerlegierungen erfüllen dank ihrer Bandlücke in nur einem Spinkanal diese Anforderung, wobei jedoch die Schichtdarstellung sicherstellen muß, daß der halbmetallische Charakter der Heuslerschichten unmittelbar an den inneren Grenzflächen der Tunnelstrukturen keine Degradation erfährt. Untersuchungen zur Struktur- und Phasenbildung an den für die Targetpräparation und die Einkristallzüchtung erforderlichen polykristallinen Ausgangsmaterialien verdeutlichen, daß nur durch eine definierte Wärmebehandlung die Heuslerphase zu stabilisieren ist, was durch Transportmessungen in Abhängigkeit von der Temperatur bestätigt wurde. An Sputterschichten konnte gezeigt werden, daß die Targetzusammensetzung in den Schichten reproduziert werden kann. Für die Ausprägung eines optimalen magnetischen Verhaltens erweist sich eine Temperbehandlung als notwendig. Eine Präparationstechnologie für Heusler-basierte Tunnelstrukturen mit Al₂O₃-Barriere wird vorgestellt.