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DS: Dünne Schichten

DS 22: Postersitzung

DS 22.47: Poster

Tuesday, March 9, 2004, 14:30–17:00, Poster B

Elektrische Untersuchungen an Si-CrSi₂ Multilagen — •Chr. Drobniewski¹, D. Decker¹, G. Beddies¹, H.-J. Hinneberg¹ und J. Schumann² — ¹Technische Universität Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz, Deutschland — ²Leibnitz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung, Abt. Dünnschichtsysteme und Nanostrukturen, 01171 Dresden

Aufgrund seiner chemischen und thermischen Stabilität sowie thermoelektrischen Eigenschaften besitzt CrSi₂ ein hohes Potential für thermoelektrische Anwendungen. Es hat sich gezeigt, dass besonders hohe thermoelektrische Effektivitäten (ZT) für Multilagenschichten erreicht werden, da hier zusätzliche Streuung der Phononen an Grenzflächen erfolgt. Durch alternierende Abscheidung von Si und CrSi₂ wurden Si/CrSi₂-Multilagenstrukturen mit verschiedenen Einzellagendicken sowie Zusammensetzungen (CrSi_{2± x}) der Silicidschicht abgeschieden. Als Substrate wurden oxidierte (d_ox=1 µm) 3^′′ Si(001)-Scheiben verwendet. Die nach der Abscheidung amorphen Stapelsysteme wurden in einer RTA-Anlage bei unterschiedlichen Temperaturen (450 ^∘C … 600 ^∘C) getempert. Zur Charakterisierung der Multilagen wurden im Temperaturbereich von 1,3 K bis 300 K Messungen von R_H, ϱ und Δϱ/ϱ durchgeführt. Die Messergebnisse werden auf Grundlage eines Schichtmodells mit unterschiedlichen Parametern für Silicidschichten und Si/CrSi₂-Grenzflächen sowie einer Weglängentheorie interpretiert. Die Abhängigkeit der elektrischen Parameter von der Wärmebehandlung und der Dicke der Silicidlagen/Lagenanzahl im Schichtstapel wird diskutiert.