Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
DS: Dünne Schichten
DS 22: Postersitzung
DS 22.57: Poster
Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B
Polykristalline WSx- und MoSx -Schichten als Absorbermaterial in Dünnschichtsolarzellen — •Stefan Seeger1, Volkmar Weiß1, Helmut Tributsch1, Thomas Dittrich1, Tanja Guminskaya1, Rainald Mientus2 und Klaus Ellmer1 — 1Hahn-Meitner-Institut, Solare Energetik, Berlin — 2OUT e.V., Berlin
Hohe Absorptionskoeffizienten (> 105 cm−1) im sichtbaren Bereich des Sonnenspektrums und Bandlücken von Eg=1,3−1,8 eV der natürlich gewachsenen und synthetisch hergestellten MS2 (M=Mo, W) Schichtgitterkristalle zeichnen die Übergangsdichalkogenide für den Einsatz als Absorberschichten in Dünnschichtsolarzellen aus. Für die Übertragung der guten photoelektronischen Eigenschaften der Schichtgitterkristalle auf großflächige polykristalline dünne Schichten ist das reaktive Magnetronsputtern eine attraktive Beschichtungstechnik. Die Herstellung photoaktiver polykristalliner MoSx- und WSx-Schichten erfordert es, texturierte Schichten mit grossen Kristalliten herzustellen. Das Wachstum von reaktiv gesputterten MoSx- und WSx-Schichten wird mit in situ EDXRD (energy dispersiv x ray diffraction) an einer Synchrotronquelle untersucht.
Es werden die elektrischen Eigenschaften (Leitfähigkeit, Hall-Beweglichkeit, Ladungsträgerdichte und Leitungstyp) sowie die photoelektrischen Eigenschaften (spektrale Photospannung) der polykristallinen MoSx- und WSx-Schichten in Abhängigkeit von den Beschichtungsparametern gezeigt.