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DS: Dünne Schichten
DS 22: Postersitzung
DS 22.7: Poster
Tuesday, March 9, 2004, 14:30–17:00, Poster B
Elektrische und optische Eigenschaften von Ionenstrahl-gestützt hergestellten Galliumnitrid-Schichten — •S. Sienz1, J.W. Gerlach1, T. Höche1, A. Sidorenko2, T.G. Mayerhöfer3, G. Benndorf4 und B. Rauschenbach1 — 1Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstraße 15, 04303 Leipzig — 2Institut für Physikalische Chemie, Universität Tübingen — 3Institut für Physikalische Chemie, Friedrich-Schiller-Universität Jena — 4Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig
Hohe kristalline Qualität stellt die Voraussetzung für gute optische und elektrische Eigenschaften von Galliumnitrid-Schichten dar. Es wurde bereits gezeigt, wie sich diese durch den Einsatz von Ionenstrahl-gestützter Molekularstrahlepitaxie (IBA-MBE) statt konventioneller Molekularstrahlepitaxie (MBE) deutlich verbessern ließ. Dazu wurden Galliumnitrid-Schichten auf 6H-SiC bei einer Substrattemperatur von 630 ∘C mit beiden Verfahren unter sonst gleichen Bedingungen hergestellt. Transmissions-Elektronenmikroskop-Aufnahmen zeigen den Glättungseffekt der IBA-MBE, welcher sich durch die Ionenstrahl-induzierte Oberflächendiffusion während des Schichtwachstums erklären lässt. Damit einher geht auch die geringere Defektdichte dieser Schichten. Photolumineszenz-Spektren zeigen die verbesserten optischen Eigenschaften von Ionenstrahl-gestützt hergestellten Schichten. Aus Fourier-Transformations-Infrarot-Spektren wurde die Ladungsträgerdichte berechnet. Diese ist im Fall der IBA-MBE deutlich geringer als im Fall der MBE.