Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 22: Postersitzung

DS 22.9: Poster

Dienstag, 9. März 2004, 14:30–17:00, Poster B

Wachstum von HfO₂-Schichten auf Si(100) mittels Pulsed Laser Deposition — •Mathias Kappa, Dirk Wolfframm, Markus Ratzke, Simona Kouteva-Arguirova und Jürgen Reif — LS Experimentalphysik II, BTU Cottbus und JointLab IHP/BTU, Universitätsplatz 3-4, 03044 Cottbus

Dünne HfO₂-Schichten wurden bei Raumtemperatur auf Silizium (100) Substraten mittels Pulsed Laser Deposition hergestellt. Als Targets sind gesinterte HfO₂ Tabletten eingesetzt worden.

Oberflächenmorphologie-Untersuchungen zeigen, dass die Struktur der HfO₂-Schichten von der Laserwellenlänge abhängt. Aufgrund der Wechselwirkung zwischen Laserpuls und Target-Material kommt es neben dem üblichen Verdampfungsprozess auch zur Ablation geschmolzener Hafniumoxidpartikel (Splashes). Mit zunehmender Laserwellenlänge erhöht sich die mittlere Größe der HfO₂-Splashes (355 nm: 0.6 µm; 1064 nm: 1.0 µm). Die maximale Größe der Partikel steigt rapide an (355 nm: 2.6 µm; 1064 nm: 6.5 µm).

Mikro-Raman-Spektroskopie Untersuchungen haben ergeben, dass die 30 nm dünnen HfO₂-Schichten eine Verspannung der obersten Lagen des Si(100) Substrates hervorrufen. Eine negative Verschiebung des stärksten Si-Peaks bei 520 cm⁻¹ nach dem Schichtwachstum deutet auf eine Dehnung des Siliziums hin. Ein Vergleich der Gitterkonstanten unterstützt dieses Ergebnis.