Regensburg 2004 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 9: Dünnschichtanalytik II
DS 9.7: Talk
Monday, March 8, 2004, 16:45–17:00, HS 32
In situ Prozessanalytik mit Hilfe der Ramanstreuung und der spektroskopischen Ellipsometrie — •M. Schubert1, N. Ashkenov1, C. Bundesmann1, M. Lorenz1, M. Grundmann1, E. Schubert2, H. Neumann2, B. Rauschenbach2, A. Braun3 und G. Lippold3 — 1Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig — 2Institut für Oberflächenmodifizierung Leipzig e.V., 04303 Leipzig — 3Solarion GmbH, Photovoltaik, 04288 Leipzig
Mit Hilfe der in-situ Ramanstreuung und der spektroskopischen in-situ Ellipsometrie gelingt die zerstörungsfreie, berührungslose und schnelle Bestimmung von optischen und strukturellen Dünnschicht-Eigenschaften während des Dünnschichtwachstums. Erfolgt die Messung und Analyse schnell genug, können die gewonnenen Informationen zur automatischen Steuerung des laufenden Prozesses in vorgegebenen Parameterbereichen, und damit zur Langzeitstabilitat von Qualtitätsmerkmalen verwendet werden. Wir berichten über Anwendungen auf das Wachstum von CuInSe2-Solarzellenabsorberschichten, ZnO-Dünnschichten, und Mo-Si Röntgenreflexionsschichstrukturen.