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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.1: Poster

Montag, 8. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Herstellung und Charakterisierung optisch gepumpter, oberflächenemittierender Halbleiterlaser — •S. Hövel¹, N.C. Gerhardt¹, M. Hofmann¹, J. Yang², D. Reuter² und A.D. Wieck² — ¹AG Optoelektronische Bauelemente und Werkstoffe, Ruhr-Universität Bochum — ²Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum

Wir charakterisieren die Emission eines optisch gepumpten oberflächenemittierenden GaInAs/GaAs-Halbleiterlasers (engl. vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL). Die Struktur wurde mittels Molekularstrahlepitaxie (engl. Molecular beam epitaxy, MBE) gewachsen. Sie enthält einen λ -Resonator mit drei 6 nm dicken Ga_0.80In_0.20As Quantenfilmen, platziert im Maximum des optischen Feldes. Als Spiegel wurden symmetrische GaAs/AlAs Bragg-Reflektoren (Oben: 16 Paare, Unten 19.5 Paare) verwendet. Der Laser emittiert bei 1000 nm mit einer Schwelle von 2.5 kW/cm² bei Raumtemperatur und Anregung mit einem gepulsten Ti:Saphir-Laser (100 fs - Pulse bei 800 nm).

Die Abhängigkeit der Laseremission von den Anregungsbedingungen wird analysiert und diskutiert.

Wir danken der DFG für Unterstützung im GRK384 und SFB491.