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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.64: Poster

Montag, 8. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Präparation und elektrische Charakterisierung von Quantendrähten in modulationsdotierten Si/SiGe-Heterostrukturen — •Sorin Poenariu¹, Ulrich Wieser¹, Ulrich Kunze¹, Thomas Hackbarth² und Ulf König² — ¹Werkstoffe und Nanoelektronik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — ²DaimlerChrysler Forschungszentrum Ulm, Wilhelm-Runge-Strasse 11, D-89081 Ulm

Es wird ein schädigungsarmes Verfahren zur Präparation von Quantendrähten in modulationsdotierten Si/SiGe-Heterostrukturen vorgestellt. Die Drähte werden zunächst durch Niederenergie-Elektronenstrahllithografie definiert. Als hochauflösenden Negativresist verwenden wir eine 1 %-ige Lösung von Calixarene. Durch Bestrahlung bei 2 kV wird der Proximity-Effekt gering gehalten. Anschließend wird in einem Mix-and-Match Verfahren die Mesastruktur des Transistors mit konventioneller UV-Lithografie ergänzt. Die so definierten Resiststrukturen werden gemeinsam in einem schädigungsarmen Trockenätzschritt unter CF₄/O₂-Plasma in die Heterostruktur übertragen. Mit diesem Verfahren werden Quantendrähte mit einer minimalen Breite von etwa 50 nm und einer Länge bis 1 µm realisiert. Die über eine Topgate-Elektrode steuerbaren Quantendrähte werden durch Messung der Strom-Spannungs-Kennlinien und des differentiallen Leitwerts bei 4.2 K charakterisiert.