Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.67: Poster

Montag, 8. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Einfluß von Hintergrundladungen auf das elektrische Verhalten von Poly-Silizium Einzelelektron-Transistoren — •Michael Skender und Dieter P. Kern — Institut für Angewandte Physik, Auf der Morgenstelle 10, 72076 Tübingen

Einzelelektron-Transistoren (SETs) werden auf ihre Einsatzmöglichkeiten in Logikschaltungen und Speicherelementen untersucht. Hierbei ist die Empfindlichkeit der Funktion dieser Strukturen auf Hintergrundladungen eine immer wieder auftretende Frage.

Zur Untersuchung dieser Fragestellung wurden SET-Strukturen auf SOI-Basis hergestellt und im Tieftemperatur-Rasterelektronenmikroskop (TTREM) untersucht.

Auf thermisch oxidierten Si-Wafern wird LPCVD-Poly-Silizium abgeschieden. Mittels Elektronenstrahllithographie und Reaktivem Ionen-Ätzen wird die SET-Struktur in die Poly-Si-Schicht übertragen und anschließend mittels Oxidation verkleinert.

Im TTREM werden mit definierten Elektronenpulsen Elektronen gezielt in der Nähe des Quantenpunktes plaziert, und die daraus resultierenden Änderungen der elektrischen Eigenschaften des SETs detektiert und analysiert.