Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.84: Poster

Montag, 8. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Elektrische Charakterisierung von n-leitendem ZnO mittels Schottky Kontakten — •Holger von Wenckstern, Swen Weinhold, Gisela Biehne, Rainer Pickenhain, Holger Hochmuth, Michael Lorenz und Marius Grundmann — Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnestraße 5

Der transparente II-VI Halbleiter ZnO ist aufgrund seiner vorteilhaften Eigenschaften, wie z. B. der hohen Exzitonbindungsenergie von ca. 60 meV, in den letzten Jahren ins Zentrum des Interesses vieler Festkörperphysiker gerückt. Nominell undotiertes ZnO ist n-leitend, was auf den Einbau von effektiv Masse Donatoren und/oder auf den Einbau von Wasserstoff zurückzuführen ist (letzteres insbesondere bei der Abscheidung mittels Gasphasentransportmethoden). Außerdem ist die Bildungsenergie von donatorartigen intrinsischen Defekten wie Sauerstoffvakanzen bzw. Zink auf Zwischengitterplätzen (beides tiefe Störstellen in ZnO) deutlich geringer als die von akzeptorartigen intrinsischen Störstellen. Aus diesen Gründen ist die Herstellung von dauerhaft p-leitendem ZnO bis jetzt noch nicht reproduzierbar gelungen. Um die Paramater und Formationsmechanismen von tiefen Störstellen in ZnO zu studieren, wurden DLTS-Messungen in einem Temperaturbereich von 4 K bis 450 K mittels Schottky Kontakten vorgenommen. Diese wurden auf ZnO Einkristallen und auf mittels gepulster Laser Deposition auf Saphir abgeschiedenen ZnO-Dünnfilmen aufgedampft und mit Kapazitäts-Spannungs-, Strom-Spannungsmessungen und Admittanzspektroskopie charakterisiert. Zudem wurde der Photostrom in einem Temperaturbereich von 4 K bis 300 K gemessen.