Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.85: Poster

Monday, March 8, 2004, 16:30–19:00, Poster A

Identifizierung von flachen Donatoren in ZnO — •H. Alves¹, B.K. Meyer¹ und A. Rodina² — ¹I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen — ²Ioffe Institut, St. Petersburg, Rußland

ZnO zeigt eine Vielzahl von exzitonischen Übergängen, die in der Vergangenheit sowohl Donator- als auch Akzeptor-gebundenen Exzitonen zugeordnet wurden. Über die Beobachtung der angeregten Zustände der gebundenen Exzitonen (TES) können die Rekombinationen von I4 bis I10 zweifelsfrei als neutrale Donator-gebundene Exzitonen identifiziert werden. Ihre Lokalisierungsenergien folgen der Regel von Haynes die sich aus der theoretischen Modellierung der angeregten Zustände und der Aufspaltung der 2s- und 2p-Zustände ergibt.