Regensburg 2004 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.87: Poster
Monday, March 8, 2004, 16:30–19:00, Poster A
Verspannungs- und Temperaturabhängigkeit der Energiebandstruktur von wurtzitischem ZnO mittels Empirischer Pseudopotential (EPP)-Rechnungen unter Berücksichtigung der Spin-Bahn-Wechselwirkung — •Daniel Fritsch, Heidemarie Schmidt und Marius Grundmann — Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften
Beim Züchten von ZnO-Filmen auf Substraten bzw. in Heterostrukturen treten aufgrund der Gitterfehlanpassung Verspannungseffekte auf. Der Einfluß der Verspannungseffekte auf die Energiebandstruktur von ZnO wird in der Rechnung über eine Variation der Gitterkonstanten a0 und c0 des unverspannten Volumenmaterials berücksichtigt, wobei die verwendeten übertragbaren, strukturunabhängigen Parameter ri und zi der ionaren Modellpotentiale von Zn und O iterativ aus experimentell bestimmten Tieftemperaturübergangsenergien binärer Halbleiterverbindungen gewonnen wurden.
Desweiteren bilden die experimentell bestimmten temperaturabhängigen a und c Gitterkonstanten1 von ZnO den Ausgangspunkt für EPP-Rechnungen zur theoretischen Untersuchung der Temperaturabhängigkeit der ZnO-Valenzbandstruktur im Vergleich zur experimentell bestimmten Vergrößerung der Spin-Bahn-Wechselwirkung Δso und der Kristallfeldaufspaltung Δcf.2
[1] R.R.Reeber, J. Appl. Phys. 41, 5063 (1970)
[2] N.Ashkenov et al., eingereicht bei Phys. Rev. B