Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: II-VI Halbleiter I

HL 17.10: Talk

Tuesday, March 9, 2004, 12:30–12:45, H14

Stickstoffdotierung in ZnO — •J. Sann¹, B. Farangis¹, B.K. Meyer¹ und G. Pensl² — ¹I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen

Unter den möglichen p- Dotanden in ZnO wird Stickstoff auf Sauerstoffplatz favorisiert. Wir berichten über den Einbau von Stickstoff über Implantation, durch Dotierung während des Wachstums in CVD-Epitaxieschichten sowie über Diffusionsexperimente aus der Gasphase. Die Photolumineszenzuntersuchungen zeigen unabhängig von der Dotiermethode das Auftreten eines Donator-Akzeptor-Paar Übergangs bei 3.23 eV.