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HL: Halbleiterphysik

HL 17: II-VI Halbleiter I

HL 17.11: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 12:45–13:00, H14

Magnetische Resonanzuntersuchungen in ZnO Volumenkristallen und Quantenpunkten — •D. Pfisterer¹, D.M. Hofmann¹, N. Volbers¹, B.K. Meyer¹, S. Orlinski² und J. Schmid² — ¹I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen — ²Universität Leiden, Niederlande

Die Identifizierung von extrinsischen Störstellen in ZnO, die hauptsächlich als Restverunreinigungen vorliegen, ist im Hinblick auf eine gezielte Modifizierung des Ladungsträgertyps (n- nach p-Leitung) von grundlegendem Interesse. In Volumenkristallen können Aluminium, Gallium, Indium und Wasserstoff durch ESR/ENDOR Experimente als Donatoren und Stickstoff als Akzeptor identifiziert werden. In ZnO Quantenpunkten kann über die Wahl der Ausgangsstoffe in der Synthese insbesondere Lithium eingebaut werden. Wir berichten über Hochfeld-ESR Experimente, die demonstrieren, dass Lithium in zwei verschiedenen Modifiaktionen vorliegt. Die unterschiedlichen Defektkonfigurationen werden diskutiert.