Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: II-VI Halbleiter I

HL 17.12: Talk

Tuesday, March 9, 2004, 13:00–13:15, H14

Eigenschaften von Li-, Sb-, und P-dotierten ZnO Dünnfilmen — •H. von Wenckstern, C. Bundesmann, S. Heitsch, G. Benndorf, D. Spemann, E. M. Kaidashev, M. Lorenz, M. Schubert und M. Grundmann — Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5

ZnO, ein derzeit intensiv untersuchter II-VI Halbleiter mit einer fundamentalen Bandlücke von ca. 3.37 eV bei Zimmertemperatur (RT), ist aufgrund seiner hohen Exzitonenbindungsenergie von etwa 60 meV ein Kandidat für die Realisierung effektiver, im UV bei RT arbeitender, exzitonischer Bauelemente. Dazu muss es gelingen, hochwertiges p-leitendes ZnO zu produzieren. Es wurde der Einfluss verschiedener Dotanden auf die elektrischen, optischen und phononischen Eigenschaften von ZnO-Dünnfilmen untersucht, welche mittels gepulster Laser Deposition auf Saphir epitaktisch abgeschieden wurden. Die Dotanden Li, Sb bzw. P wurden mit verschiedenen Anteilen in die Targets gemischt. Der Typ der Majoritätsladungsträger, deren Konzentration und deren Mobilität wurden mit Halleffektmessungen bestimmt. Der Großteil der Proben ist n-leitend, der andere Teil der Proben (vor allem Sb- und P-dotierte Proben) nichtleitend. Photolumineszenzmessungen bei 4 K zeigen den Einfluss der verschiedenen Dotanden auf das Rekombinationsspektrum. Es wurden zusätzlich temperaturabhängige Photolumineszenzmessungen durchgeführt, um die Ursache der verschiedenen Rekombinationsbanden zu verstehen. Die Phononenmoden wurden mit Raman-Messungen untersucht. Zusätzlich wurde ein Großteil der Proben mit Infrarot-spektroskopischer Ellipsometrie charakterisiert.