Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: II-VI Halbleiter I

HL 17.13: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 13:15–13:30, H14

Epitaxie von ZnO auf ZnO Substraten — •Arndt Zeuner, Christian Neumann, Joachim Sann und Bruno K. Meyer — I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Gießen

Wir untersuchten die Möglichkeiten des Wachstums von ZnO auf ZnO Substraten. In den gewachsenen Schichten wurden mit Röntgendiffraktometrie verschiedene Gitterkonstanten beobachtet. Des weiteren wurden die ZnO Schichten mit Stickstoff dotiert. Die ZnO:N Schichten wiesen einen Donator-Akzeptor-Paar Übergang auf. Die ZnO Schichten wurden mit Sekundärionen Massenspektroskopie und Rasterelektronenmikroskopie untersucht.