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HL: Halbleiterphysik
HL 17: II-VI Halbleiter I
HL 17.1: Talk
Tuesday, March 9, 2004, 10:15–10:30, H14
Optische dielektrische Funktionen im Photonenenergiebereich (4,0 - 9,5) eV von (1120) ZnO untersucht mittels generalisierter spektroskopischer Ellipsometrie — •Rüdiger Schmidt-Grund1, Daniel Fritsch1, Mathias Schubert1, Bernd Rheinländer1, Heidemarie Schmidt1, Evgeni M. Kaidashev1, Michael Lorenz1, Craig M. Herzinger2 und Marius Grundmann1 — 1Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig — 2J. A. Woollam Co., Inc. 645 M Street, Suite 102, Lincoln, Nebraska, 68508m, USA
Wurtzit-ZnO ist attraktiv für Anwendungen in der Optoelektronik. Die Eigenschaften der E0-Band-Band Übergänge sowie der ordinäre und extraordinäre Brechungsindexverlauf im Transparenzbereich sind gut bekannt. Die Eigenschaften der höheren Band-Band Übergänge sind jedoch weitgehend unbekannt.
Die optischen dielektrischen Funktionen eines mittels gepulster Laser-Abscheidung (PLD, pulsed-laser-deposition) auf r-plane (1102) Al2O3 Substrat abgeschiedenen wurtzitischen a-plane (1120) ZnO-Dünn-Films wurden mittels generalisierter spektroskopischer Ellipsometrie im Energiebereich von 4,0 eV bis 9,5 eV bestimmt. Die dielektrischen Funktionen zeigen Strukturen, welche bereits an uniaxialen AlGaN beobachtet wurden und als E1-, E1+Δ1-, E2-, and E0′-Typ Band-Band Übergänge identifiziert wurden. Die aus der ellipsometrischen Modell-Analyse bestimmten energetischen Positionen dieser Übergänge werden mit Pseudopotential-Bandstruktur-Rechnungen verglichen.