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HL: Halbleiterphysik

HL 17: II-VI Halbleiter I

HL 17.1: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 10:15–10:30, H14

Optische dielektrische Funktionen im Photonenenergiebereich (4,0 - 9,5) eV von (1120) ZnO untersucht mittels generalisierter spektroskopischer Ellipsometrie — •Rüdiger Schmidt-Grund¹, Daniel Fritsch¹, Mathias Schubert¹, Bernd Rheinländer¹, Heidemarie Schmidt¹, Evgeni M. Kaidashev¹, Michael Lorenz¹, Craig M. Herzinger² und Marius Grundmann¹ — ¹Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstr. 5, 04103 Leipzig — ²J. A. Woollam Co., Inc. 645 M Street, Suite 102, Lincoln, Nebraska, 68508m, USA

Wurtzit-ZnO ist attraktiv für Anwendungen in der Optoelektronik. Die Eigenschaften der E₀-Band-Band Übergänge sowie der ordinäre und extraordinäre Brechungsindexverlauf im Transparenzbereich sind gut bekannt. Die Eigenschaften der höheren Band-Band Übergänge sind jedoch weitgehend unbekannt.

Die optischen dielektrischen Funktionen eines mittels gepulster Laser-Abscheidung (PLD, pulsed-laser-deposition) auf r-plane (1102) Al₂O₃ Substrat abgeschiedenen wurtzitischen a-plane (1120) ZnO-Dünn-Films wurden mittels generalisierter spektroskopischer Ellipsometrie im Energiebereich von 4,0 eV bis 9,5 eV bestimmt. Die dielektrischen Funktionen zeigen Strukturen, welche bereits an uniaxialen AlGaN beobachtet wurden und als E₁-, E₁+Δ₁-, E₂-, and E₀^′-Typ Band-Band Übergänge identifiziert wurden. Die aus der ellipsometrischen Modell-Analyse bestimmten energetischen Positionen dieser Übergänge werden mit Pseudopotential-Bandstruktur-Rechnungen verglichen.