Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: II-VI Halbleiter I

HL 17.4: Talk

Tuesday, March 9, 2004, 11:00–11:15, H14

Stimulierte Emission in ZnO-Epitaxieschichten — •Heiko Priller¹, J. Brückner¹, Th. Gruber², Ch. Kirchner², A. Waag³, H.J. Ko⁴, T. Yao⁴, H. Kalt¹ und C. Klingshirn¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe — ²Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm — ³Institut für Halbleitertechnik, TU Braunschweig — ⁴Institute for Material Research, Tohoku University, Japan

Wir untersuchen ZnO-Epitaxieschichten die mit MBE (Molecular Beam Epitaxy) und MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) hergestellt wurden und bestimmen ihre Eigenschaften unter optischer Hochanregung. Als Anregungsquelle dient ein Excimer-Laser mit einer Anregungswellenlänge von 308 nm (4.024 eV) und einer Pulslänge von 15 ns, so dass wir im quasi-kontinuierlichen Bereich sind. Bei niedrigen Anregungsintensitäten wird das Photoluminsezenzspektrum bei tiefen Temperaturen durch die Emission von gebundenen Exzitonen dominiert. Erhöht man die Exzitonendichte beobachten wir eine zusätzliche Emissionsbande die von Exziton-Exziton-Streuung herrührt. Bei weiterer Erhöhung der Exzitonendichte dominiert diese Bande und bei noch grösseren Dichten beobachten wir die Bildung eines Elektron-Loch-Plasmas mit einer sehr breiten Emissionsbande. Die Spektren der optischen Verstärkung werden mit der Strichlängenmethode bestimmt.