Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 21: II-VI Halbleiter II

HL 21.6: Talk

Tuesday, March 9, 2004, 16:30–16:45, H13

Einfluss stöchiometrischer Änderungen auf die Diffusion von Ag und Cu in CdTe — •H. Wolf, F. Wagner und Th. Wichert — Universität des Saarlandes, Technische Physik, D-66123 Saarbrücken

Die Diffusion von Ag und Cu in CdTe wurde mit Hilfe der Radiotracer ¹¹¹Ag und ⁶⁷Cu untersucht, wobei sehr unterschiedliche, meist ungewöhnliche Profilformen beobachtet wurden. In nicht vorbehandelten bzw. unter Te Atmosphäre vorgetemperten Kristallen werden nach Diffusion von Ag bzw. Cu unter Cd Atmosphäre bei 800 K (60 min) symmetrische Profile beobachtet, die in der Mitte des Kristalls eine hohe und in den bis zu 250 µm tiefen Randzonen eine niedrige Ag (Cu) Konzentration zeigen. Dagegen zeigt ein unter Cd Atmosphäre vorgetemperter Kristall unter sonst gleichen Diffusionsbedingungen für Ag eine homogene Verteilung über die gesamte Probe auf einem niedrigem Konzentrationsniveau. Erfolgt die Ag Diffusion unter Te Atmosphäre, wird dagegen in den Randbereichen eine erhöhte Ag Konzentration beobachtet. Die Diffusionsprofile lassen sich im Rahmen eines Modells erklären, das die Veränderung der stöchiometrischen Bedingungen durch die Diffusion intrinsischer Defekte berücksichtigt. Dabei zeigt sich, dass Ag (Cu) in Bereichen mit einer hohen Konzentration von Cd Leerstellen, V_Cd, substitutionell eingebaut und aus Bereichen mit niedriger V_Cd Konzentration verdrängt wird. Anhand von Simulationsrechnungen wird gezeigt, welche Anforderungen an das Material gestellt werden müssen, um die beobachteten Profilformen zu erklären.

Gefördert durch die DFG, Projektnummer WI 715/7-1/7-3/7-4