Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 25: Heterostrukturen II

HL 25.4: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 18:45–19:00, H14

Elektronische Eigenschaften von in-situ geätzten und überwachsenen GaAs/AlGaAs Grenzflächen — •Stephan Schulz, Christian Heyn und Wolfgang Hansen — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

In-situ Trockenätzen und anschließendes MBE-Überwachsen von vorstrukturierten Substraten bietet vielfältige Möglichkeiten zur Herstellung neuartiger Quantenstrukturen. Als Ätzprozesse verwenden wir Chemically Assisted Ion Beam Etching (CAIBE) sowie Chemical Gas Etching (CGE) unter Verwendung von Argon und Chlor als Prozessgase. Diese Prozesse charakterisieren und optimieren wir hinsichtlich niedriger Störstellendichten und Rauhigkeiten der Grenzflächen mit Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), Magnetotransport-Messungen und Rasterkraftmikroskopie. Die Störstellendichten, Elektronenbeweglichkeiten und Rauhigkeiten hängen stark von den gewählten Prozessparametern ab. In diesem Vortrag werden insbesondere die Ergebnisse der DLTS-Messungen vorgestellt.