HL 25: Heterostrukturen II
Dienstag, 9. März 2004, 18:00–19:15, H14
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18:00 |
HL 25.1 |
Band offset determination of InGaAsN quantum well structures employing surface photovoltage — •Massimo Galluppi, Gheorghe Dumitras, Lutz Geelhaar, and Henning Riechert
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18:15 |
HL 25.2 |
Edge magneto plasmons in GaAs and GaN-based heterojunctions — •Hans Huebl, Thomas Vallaitis, Sebastian T. B. Goennenwein, and Martin S. Brandt
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18:30 |
HL 25.3 |
Strukturuntersuchungen an dünnen InAs/GaAs Schichten mittels Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen — •Ferdinand Streicher, Holger Eisele, Tai-Yang Kim, Jan Grabowski, Rainer Timm, Andrea Lenz, Konstantin Pötschke, Udo W. Pohl, Dieter Bimberg und Mario Dähne
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18:45 |
HL 25.4 |
Elektronische Eigenschaften von in-situ geätzten und überwachsenen GaAs/AlGaAs Grenzflächen — •Stephan Schulz, Christian Heyn und Wolfgang Hansen
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19:00 |
HL 25.5 |
Relaxation times in type I and type II (Ga,In)As/Ga(N,As) quantum wells — •K Hantke, J. D. Heber, H. Grüning, P. J. Klar, W. Heimbrodt, J. Koch, S. Nau, W. Stolz, and W. W. Rühle
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