Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung

HL 27.5: Talk

Wednesday, March 10, 2004, 16:15–16:30, H15

Verspannung und Wingtilt von ELOG GaN auf SiC Substraten — •Nikolaus Gmeinwieser¹, Karl Engl¹, Peter Gottfriedsen¹, Ulrich T. Schwarz¹, Josef Zweck¹, Werner Wegscheider¹, Stephan Miller², Andreas Leber², Andreas Weimar², Alfred Lell² und Volker Härle² — ¹Naturwissenschaftliche Fakultät II- Physik, Universität Regensburg — ²OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg

Zur Herstellung defektreduzierter GaN Schichten auf SiC Substraten verwenden wir den ELOG (epitaxial lateral overgrowth) Prozess. Die Flügel der ELOG-Streifen sind gegenüber den Fenstern weniger verspannt und weisen intensivere Photolumineszenz (PL) mit schmäleren Linienbreiten auf. TEM Aufnahmen zeigen über den ELOG-Maskenrändern eine hohe Dichte von Versetzungslinien, die entlang der ELOG-Streifen verlaufen und durch den Wingtilt der Proben verursacht werden. Micro-Photolumineszenz (µPL) Messungen ergaben im Bereich der Maskenränder und in den angrenzenden 2 µm der Flügel niedrigere PL-Intensität, höhere Linienbreiten und stärkere tensile Verspannung gegenüber sowohl den Fenstern als auch den Flügeln. Durch einen Wechsel des ELOG-Maskenmaterials von SiO₂ zu SiN_x konnte der Wingtilt um eine Größenordnung auf ca. 0,4 Grad reduziert werden. Die so hergestellten Proben zeigen kein Anzeichen reduzierter Materialqualität entlang der Maskenränder.