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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung

HL 27.9: Vortrag

Mittwoch, 10. März 2004, 17:15–17:30, H15

Oberflächenbedeckung und Lumineszenzverhalten von Nitrid-Quantenfilmen — •A. Buchholz, D. Fuhrmann, U. Rossow und A. Hangleiter — Institut für Technische Physik, Technische Universität Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, 38106 Braunschweig

Das Zusammenwirken von spontanem und piezoelektrischem Feld hat einen großen Einfluss auf die optischen Eigenschaften von Gruppe-III-Nitriden. Oberflächenbelegungen können dabei abschirmend auf das spontane Feld wirken. Bei früheren Kathodolumineszenz (KL)-Messungen an InGaN/GaN-Quantenfilmen zeigte sich eine Blauverschiebung der Lumineszenzlinie, die auf elektronenstimulierte Desorption schwach gebundener Spezies von der Oberfläche zurückgeführt wurde. Systematische Untersuchungen erfolgen nun in einem Ultrahochvakuum(UHV)-System, in dem die Proben mittels temperaturabhängiger KL charakterisiert werden, wobei die Restgaszusammensetzung durch ein Quadrupolmassenspektrometer bestimmt wird. Eine Vielzahl der Proben (GaN/InGaN- und AlGaN/GaN-Kompositionen) zeigte in der KL eine von der Anregungsleistung abhängige Dynamik der Intensitätsentwicklung. Ein Ausheizen der Proben im UHV nimmt dabei Einfluss auf diesen Effekt; die gleichzeitig beobachtete Zunahme des Wasserdampfanteils in der Kammer, begleitet von der Tatsache, dass sich die Proben an Atmosphäre „regenerieren“ lassen, lässt vermuten, dass die Entwicklung durch ein „Reinigen“ der Oberfläche, vornehmlich von Wasser, verursacht wird. Das definierte Ausheizen erlaubt dabei die Präparation unterschiedlich stark belegter Oberflächen, die im Weiteren auch mittels Photolumineszenz (PL) untersucht werden sollen.