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15:15 |
HL 27.1 |
MOVPE-Wachstum und röntgenografische Strukturuntersuchungen von GaN-Schichten auf Si(001) — •F. Schulze, J. Bläsing, A. Dadgar und A. Krost
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15:30 |
HL 27.2 |
Spektroskopie von versetzungskorrelierten Energieniveaus in GaN mit thermisch und optisch angeregter Oberflächenpotentialmikroskopie — •Andre Krtschil und Alois Krost
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15:45 |
HL 27.3 |
Optimierung eines neuen GaN MOVPE-Wachstumsprozesses mit reduzierten parasitären Depositionen — •Roger Steins, Nicoleta Kaluza, Konrad Wirtz, Hilde Hardtdegen und Hans Lüth
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16:00 |
HL 27.4 |
Anisotropy of the Dielectric Function for wurtzite InN — •R. Goldhahn, A.T. Winzer, V. Cimalla, O. Ambacher, C. Cobet, N. Esser, J. Furthmüller, F. Bechstedt, H. Lu, and W.J. Schaff
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16:15 |
HL 27.5 |
Verspannung und Wingtilt von ELOG GaN auf SiC Substraten — •Nikolaus Gmeinwieser, Karl Engl, Peter Gottfriedsen, Ulrich T. Schwarz, Josef Zweck, Werner Wegscheider, Stephan Miller, Andreas Leber, Andreas Weimar, Alfred Lell und Volker Härle
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16:30 |
HL 27.6 |
Selforganized superlattice formation in AlGaN grown by MOVPE — •Andreas Able, Karl Engl, Josef Zweck, and Werner Wegscheider
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16:45 |
HL 27.7 |
Chemically ordered AlxGa1−xN alloys: Spontaneous formation of natural quantum wells — •L. Lymperakis, M. Albrecht, J. Neugebauer, J.E. Northrup, L. Kirste, and H.P. Strunk
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17:00 |
HL 27.8 |
Beobachtung eines Be-korrelierten Donator-Zustandes in GaN mittels Radiotracer-Spektroskopie — •F. Albrecht, J. Grillenberger, U. Reislöhner, G. Pasold, M. Dietrich, W. Witthuhn und die ISOLDE Collaboration
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17:15 |
HL 27.9 |
Oberflächenbedeckung und Lumineszenzverhalten von Nitrid-Quantenfilmen — •A. Buchholz, D. Fuhrmann, U. Rossow und A. Hangleiter
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17:30 |
HL 27.10 |
Zeitaufgelöste Photolumineszenz an GaInN/GaN-Strukturen: Laserqualität contra Quantenausbeute — •C. Netzel, F. Hitzel, S. Lahmann, U. Rossow und A. Hangleiter
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17:45 |
HL 27.11 |
MOVPE growth of GaN/AlGaN quantum well structures and its impact on the optical properties — •D. Fuhrmann, M. Greve, N. Riedel, U. Rossow, G. Ade, P. Hinze, J. Bläsing, A. Krost, and A. Hangleiter
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18:00 |
HL 27.12 |
Temperature dependence of the built-in electric field strength in AlGaN/GaN Heterostructures grown on Si(111) — •A.T. Winzer, R. Goldhahn, G. Gobsch, A. Dadgar, A. Krtschil, H. Witte, and A. Krost
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18:15 |
HL 27.13 |
Silicon doping of heteroepitaxial AlN films grown by MBE — •Martin Hermann, Florian Furtmayr, Martin Stutzmann, and Martin Eickhoff
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18:30 |
HL 27.14 |
Verspannungsgradienten in dicken GaN-Schichten auf Silizium Substrat — •U. Haboeck, A. Hoffmann, C. Thomsen, T. Riemann, F. Bertram, J. Christen, A. Dadgar und A. Krost
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18:45 |
HL 27.15 |
Electro-optic Effects in Nitride Semiconductors: Investigation and Application for Characterisation — •S. Shokhovets, G. Gobsch, O. Ambacher, M. Hermann, and M. Eickhoff
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19:00 |
HL 27.16 |
Optische Charakterisierung von Nitridhalbleitern und deren Oberflächen mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •Christoph Cobet, Munise Rakel, Thomas Säuberlich, Thorsten Schmidtling, Massimo Drago, Rüdiger Goldhahn, Wolfgang Richter und Norbert Esser
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