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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Spinabh
ängiger Transport I

HL 29.11: Vortrag

Mittwoch, 10. März 2004, 17:45–18:00, H13

InAs-LEDs für Spininjektionsexperimente — •P. Grabs¹, I. Chado¹, R. Fiederling¹, A. Slobodskyy¹, C. Gould¹, G. Schmidt¹, L. W. Molenkamp¹, C. J. Meining² und B. D. McCombe² — ¹Physikalisches Institut, Experimentelle Physik 3, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260

InAs ist dank seiner hohen Elektronenbeweglichkeit und der starken Spin-Bahn-Kopplung ein interessantes Material für Spininjektionsexperimente. Mit Cd_1−xMn_xSe, einem verdünnten magnetischen Halbleiter (DMS), der gitterangepasst auf InAs gewachsen werden kann, steht ein passender Spinaligner zur Verfügung.

Wir berichten über das MBE-Wachstum und die Charakterisierung von asymmetrischen LEDs mit einer p-Barriere aus AlSb_1−xAs_x, einem InAs-Quantentrog und Cd_1−xMn_xSe als n-Barriere und Spininjektor. Die zirkulare Polarisation des emittierten Lichts einer solchen LED kann als Maß für die Effizienz der Spininjektion dienen. Es werden Ergebnisse von Elektrolumineszenz- und Transportmessungen an den Strukturen gezeigt.

Diese Arbeit wird unterstützt durch das DARPA SPINS Program.