Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 3.1: Talk

Monday, March 8, 2004, 10:15–10:30, H17

Mix-and-Match Prozess zur Herstellung verzweigter elektronischer Wellenleiter unter Verwendung von elektronenstrahlsensitivem Calixaren und konventionellem Fotolack — •Michael Knop¹, Mirja Richter¹, Ulrich Wieser¹, Ulrich Kunze¹, Dirk Reuter² und Andreas D. Wieck² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe und Nanoelektronik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Angewandte Festk " orperphysik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum

Es wird ein Verfahren zur Herstellung nanoskaliger, modulationsdotierter GaAs/Al_1−xGa_xAs- Feldeffektstrukturen beschrieben. Im ersten Prozessschritt wird eine Wellenleiterstruktur durch Niederenergie-Elektronenstrahlithographie im Negativresist Calixaren definiert. Zur Minimierung des Proximity-Effektes verwenden wir eine Beschleunigungsspannung von 2 kV. Im zweiten Prozessschritt wird durch UV-Lithographie die Mesa- und Kontaktstruktur des Transistors in einem konventionellen Fotolack erzeugt. Die entstandene Kombination aus Calixaren und Fotolack wird in einem einzigen nasschemischen Ätzschritt in die Heterostruktur übertragen. Auf diese Weise lassen sich minimale Strukturabmessungen von etwa 20 nm erzeugen. Die Wellenleiter werden durch Transportmessungen charakterisiert.