Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 3: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
HL 3.9: Talk
Monday, March 8, 2004, 12:15–12:30, H17
Untersuchung des Einflusses von Stickstoffbeimischungen in InAs/GaAs Quantenpunkte mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen — •Mandy Baudach1, Sebastian Kai Becker1, Holger Eisele1, Rainer Timm1, Jan Grabowski1, Tai-Yang Kim1, Lena Ivanova1, Andrea Lenz1, Ferdinand Streicher1, Mario Dähne1, Oliver Schumann2, Lutz Geelhaar2 und Henning Riechert2 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2Infineon Technologies,Corporate Research Photonics, D-81730 München
Mittels Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) wurden vergrabene InAs Quantenpunkt-Doppelstapel mit einer GaAs-Zwischenschicht untersucht, die mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsen wurden. Hierbei werden insbesondere Ergebnisse über den Einluss geringer Stickstoffbeimischungen entweder direkt in den Quantenpunkten als auch in der Zwischenschicht vorgestellt. Während eine geringe Beimischung von Stickstoff in der Zwischenschicht die Struktur der darauffolgenden InAs-Quantenpunkte nicht wesentlich verändert und lediglich einen Einbau von Stickstoff in die InAs-Schicht bemerkt, führt der Stickstoffeinbau direkt in die Quantenpunktschicht zu drastischen Formänderungen und einer teilweisen Auflösung der Benetzungsschicht. Detaillierte XSTM-Daten der einzelnen Strukturen mit atomarer Auflösung werden gezeigt.