Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: Photovoltaik II

HL 30.6: Vortrag

Mittwoch, 10. März 2004, 16:30–16:45, H14

Einfluss von CrGa- und FeGa-Paaren in Ga-dotiertem Czochralski Silicium auf die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger — •Svetlana Beljakowa¹, Dieter Karg¹, Gerhard Pensl¹ und Jan Schmidt² — ¹Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7/A3, D-91058 Erlangen — ²Institut für Solarenergieforschung Hameln-Emmerthal (ISFH), Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal

Ga-dotiertes Czochralski Silicium wurde mit Cr und Fe durch Implantation bzw. Diffusion verunreinigt. Die Bildung und Vernichtung der CrGa- und FeGa1-Paare wurde mit Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Es wurden die Aktivierungsenergien für die Bildung und Vernichtung des CrGa- bzw. FeGa1-Komplexes bestimmt. Bei gleichen Temperaturen erfolgen Bildung und Dissoziation des FeGa1-Komplexes schneller als die des CrGa-Komplexes. Die Wirkung der CrGa- und FeGa1-Paare auf die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger wurde mittels Microwave-detected Photoconductance Decay (MW-PCD) untersucht. Die Lebensdauermessungen haben gezeigt, dass interstitielles Chrom im Gegensatz zu CrB-Paaren rekombinationsaktiver als der CrGa-Komplex ist. Interstitielles Eisen dagegen erweist sich als weniger rekombinationsaktiv als der FeGa1-Defekt.