Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: III-V Halbleiter I
HL 33.5: Vortrag
Mittwoch, 10. März 2004, 19:15–19:30, H14
Exzitonenlokalisation in InGaN-Schichten — •T. Finger, J. Christen, Th. Hempel, A. Dadgar und A. Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg
Legierungsunordnung und Entmischung verursachen im ternären InGaN mikroskopische Kompositionsfluktuationen, die zu lokalen Potentialfluktuationen führen. Diese Unordnungseffekte erzeugen ein charakteristisches Temperaturverhalten der Rekombinationsenergie das von dem üblichen Eg(T)-Verlauf (z.B. Varshni) signifikant abweicht. Mit sinkender Temperatur T tritt zunächst eine Rotverschiebung um −σ2/kBT auf. In Folge des Ausfrierens der Ladungsträger bei weiter sinkendem T erfolgt dann eine Blauverschiebung. Es ergibt sich somit eine charakteristische s-förmige T-Abhängigkeit der bandkantennahen Lumineszenz. Bei Erhöhung der Anregungsleistung wird ebenfalls eine Blauverschiebung beobachtet, die mit einem Auffüllen der statistischen Energieverteilung erklärt werden kann. Wir haben an 100 nm dicken MOCVD-gewachsenen InGaN-Epitaxieschichten unterschiedlichen In-Gehaltes (21% - 47%) Temperatur- und Anregungsdichte-abhängige Lumineszenzmessungen durchgeführt. Es traten starke Intensitätsmodulationen der Spektren durch Fabry-Perot Interferenzen in dem Luft+InGaN/GaN (1,2 µm)+Si-Substrat Schichtpaket auf.