Regensburg 2004 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 36: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften I
HL 36.10: Talk
Thursday, March 11, 2004, 12:30–12:45, H17
Dynamik von Energie- und Phasenrelaxationsprozessen in In(Ga)As/GaAs Quantenpunkten — •Patrick Zimmer1, Matthias Dworzak1, Harald Born2, Axel Hoffmann1, Florian Guffarth1 und Dieter Bimberg1 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin — 2Georgia State University, Department of Physics and Astronomy, Atlanta, Georgia GA-30303
Für das Verständnis von Energie- und Phasenrelaxationsprozessen in Quantenpunktstrukturen sind Messungen mit hoher Zeitauflösung von zentraler Bedeutung. Hierzu bedient man sich der Zweistrahl-Messtechnik, deren zeitliche Auflösung ausschliesslich durch die Laserpulsbreite gegeben ist und im Bereich von wenigen Pikosekunden liegt. Derartige Messungen an In(Ga)As-Quantenpunkten ergaben bei Anregung oberhalb der Bandkante von GaAs eine Sättigung des Probe-Signals in Anwesenheit des Pumpstrahls. Die beobachtete Sättigung ist abhängig von der zeitlichen Verzögerung von Pump- und Probestrahl. Es wurde eine Zeitkonstante von etwa 1 ns gemessen, was der strahlenden Lebensdauer der Exzitonen in diesem System entspricht. Bei resonanter Anregung des Systems tritt diese Zeitkonstante ebenfalls auf. Zusätzlich wird eine deutlich kürzere Zeitkonstante im Bereich von etwa 30 ps detektiert. Ähnliche Zeitkonstanten werden auch in anderen Experimenten beobachtet und derzeit als Phasenrelaxationszeit der Exzitonen diskutiert.