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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Halbleiterlaser II

HL 38.10: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 12:30–12:45, H14

Entwicklung von InGaAsP/InP-Lasern hoher Brillanz bei 1.4 - 1.5 µm — •Senta Kallenbach, Marc Tibor Kelemen, Jürgen Weber, Rolf Aidam, Rainer Lösch, Gudrun Kaufel und Michael Mikulla — Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastr. 72, D-79108 Freiburg

InP-basierte Hochleistungslaser mit hoher Strahlqualität bei 1.4 - 1.5 µm finden Anwendung als Pumplaser in erbiumdotierten Faserverstärkern und Ramanverstärkern. Im Gegensatz zu bisher verwendeten Ridge- oder Buried-Heterostructure-Designs, die eine Ausgangsleistung von maximal einigen 100 mW zulassen, verfolgen wir das Konzept des Ridge-Trapezlasers, das eine hohe Brillanz ermöglicht, d.h. hohe Leistungen (> 1 W) mit hoher Strahlqualität vereint. Die hier vorgestellten Schichtstrukturen wurden überwiegend mittels Feststoffquellen-MBE epitaxiert. Wellenführung und aktive Zone bestehen aus InGaAsP, wobei die Quantentöpfe 1 % kompressive Verspannung aufweisen. Variationen in der Vertikalstruktur wurden anhand von Breitstreifenlasern untersucht, um Einflüsse durch das Lateral- und Longitudinaldesign separat analysieren zu können. Abstrahlwinkel, Verluste und Schwellstromdichten wurden für Wellenleiterbreiten zwischen 0.3 und 1.6 µm sowie Füllfaktoren von 1.4 bis 2.5 % hinsichtlich einer optimierten Vertikalstruktur für Trapezlaser untersucht.