Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Halbleiterlaser II

HL 38.3: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 10:45–11:00, H14

Einfluss defektreduzierender Massnahmen auf die Alterung von (AlIn)GaN-Laserdioden — •M. Furitsch, S. Miller, A. Leber, G. Brüderl, A. Lell und V. Härle — OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg

Halbleiterlaser im blau-violetten Spektralbereich sind insbesondere für optische Speicheranwendungen und hochauflösende Laserdrucktecknik interessant. Für die industrielle Anwendung ist allerdings eine gute Lebensdauer Voraussetzung.

OSRAM OS stellt kantenemittierende Halbleiterlaser im Wellenlängenbereich von λ = 390 nm − 420 nm her. Die epitaktischen Schichten werden mittels MOVPE auf leitendem SiC-Substraten abgeschieden, was einen vertikalen Stromfluss ermöglicht. Einen starken positiven Einfluss auf die Lebensdauer von (AlIn)GaN-Laserdioden hat die Reduktion der Defektdichte [1].

In diesem Beitrag wird der Einfluss verschiedener Prozessparameter auf das Alterungsverhalten untersucht in dem unmontierte, gewinngeführte Oxidstreifenlaser gealtert wurden. So führt eine Anpassung der Wachstumstemperatur in der aktiven Zone zu verlängerten Lebensdauern. Es wurde gezeigt, dass eine zusätzliche SiN-Schicht im epitaktischen Aufbau zu einer Verringerung der Defektdichte führt. An Laserdioden mit optimiertem in-situ SiN kann eine deutlich verlangsamte Anfangsalterung gegenüber einem Laser ohne Defektreduzierung gezeigt werden.

[1] T. Tojyo et. al., IPAP Conf. Series 1, pp 878-882 (2000)