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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Halbleiterlaser II

HL 38.9: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 12:15–12:30, H14

1.3 µm InAs/InGaAs-Laser mit asymmetrisch eingebauten Quantenpunkten — •Stefan Deubert, Roland Krebs, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Der Einbau von InAs-Quantenpunkten in eine InGaAs-Quantenfilmstruktur erlaubt es Laser für den 1.3 µm Wellenlängenbereich auf GaAs-Substraten zu realisieren. Durch Variation der Quantenfilmdicke, und somit einen asymmetrischen Einbau der Quantenpunkte, konnten die optischen Eigenschaften von 1.3 µm Lasern signifikant verbessert werden. Es konnten mit Hilfe dieser asymmetrischen aktiven Schicht die Schwellenströme halbiert und die Effizienzen um 30% gesteigert werden, so dass 400 µm lange RWG-Laser mit Schwellenströmen von nur 2 mA realisiert werden konnten. Gleichzeitig führt der asymmetrische Einbau der Quantenpunkte zu einer Erhöhung der Temperaturstabilität und charakteristischen Temperaturen von 130 K. Auch monomodige DFB-Laser die auf dieser Struktur basieren zeigen geringere Schwellenströme und gleichzeitig verbesserte Hochfreqenzeigenschaften mit Modulationsbandbreiten von 7.5 GHz.