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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Ultrakurzzeitph
änomene

HL 4.6: Vortrag

Montag, 8. März 2004, 11:30–11:45, H13

Ladungsträger-Dynamik in Stickstoff-implantiertem GaAs — •S. Sinning, T. Dekorsy und M. Helm — Forschungszentrum Rossendorf, Postfach 51 01 19, 01314 Dresden

III-V-Halbleitern mit geringen Stickstoffkonzentrationen gelten sowohl als Materialsystem als auch für Anwendungen seit einiger Zeit größeres Interesse. Neben epitaktischen Methoden bietet die Ionen-Implantation einen effektiven Weg zur Einbringung des Stickstoffs in das Substrat. Nachteil dieses Verfahrens ist der dem Gitter durch die Ionen-Implantation zugefügte Schaden.

Wir untersuchen die Effektivität des Einbaus von aktivem Stickstoff nach Implantation und thermischer Ausheilung (RTA). Bei RTA-Bedingungen von 650=0pt^∘C/30s ist der Einbau des Stickstoffs in die Matrix optimal. Eine Verbesserung der Gitterqualität kann durch Implantation bei erhöhten Temperaturen (T > 200=0pt^∘C) erreicht werden. Die Ladungsträger-Dynamik im sub-Pikosekunden-Bereich für Implantationen bei Raumtemperatur und bei erhöhten Temperaturen wird mit der von nicht-implantiertem GaAs verglichen. Es werden signifikante Unterschiede beobachtet, die auf eine starke Modifizierung der Bandstruktur des stickstoffhaltigen GaAs zurückzuführen sind.