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HL: Halbleiterphysik

HL 42: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften II

HL 42.3: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 15:45–16:00, H13

Nahfeld-Photolumineszenz einzelner InGaAs-Quantenpunkte bei tiefen Temperaturen — •Christian Griesche, Kai Hodeck und Mario Dähne — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Spektroskopische Untersuchungen einzelner InGaAs-Quantenpunkte mit Optischer Rasternahfeld-Mikroskopie (SNOM) bei 80 K zeigten unter variierender Anregungsintensität im Signal des Grundzustandsübergangs neu auftretende Linien. Diese wurden der Bildung von Trionen und Biexzitonen zugeordnet und weisen eine sehr hohe Bindungsenergie für Exzitonenkomplexe aus [1].

Um dieses Phänomen anhand detaillierter Messungen mit höherer spektraler Auflösung genauer zu analysieren, wurde ein neues Tieftemperatur-SNOM für den Betrieb bei 4 K aufgebaut. Durch eine innovative Versuchsanordnung wird hierbei ein zuverlässiger Betrieb trotz des extrem geringen Platzangebots im Kryostaten gewährleistet.

Erste Photolumineszenz-Untersuchungen an einzelnen InGaAs-Quantenpunkten bei tiefen Temperaturen werden derzeit mit diesem Gerät durchgeführt.

[1] K. Hodeck et. al., phys. stat. sol. (c)0, No.4, 1209 (2003)