Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.21: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Implantation magnetischer Ionen in GaAs/AlGaAs Hetrostrukturen — •Sinan Ünlübayir, Alexander Melnikov und Andreas D. Wieck — Ruhr-Universität Bochum D-44780 Bochum

Wir untersuchen den Einfluss magnetischer Ionen auf die elektrischen Transporteigenschaften eines 2 dimensionalen Elektronengases (2DEG). Zur Realisierung des 2DEGs wird eine selektiv dotierte GaAs/AlGaAs Heterostruktur verwendet. Verschiedene Ionensorten (Mn,Fe,Ni,Gd,Ho,Er), welche viel versprechende Kandidaten dafür sind das sie ihr hohes magnetisches Moment auch im Wirtskristall beibehalten und sowie als Referenz Ga werden mit der Technik der fokussierten Ionenimplantation in die Heterostruktur implantiert. Es werden Dosen von 1x10⁹ cm⁻² bis 1x10¹³ cm⁻² verwendet wobei die Ionenenergie zwischen 100 und 200 keV liegt. Ferner wird der Einfluss eines schnellen thermischen Ausheilschrittes (750 ^∘C für 30 s)untersucht. Die magnetischen Eigenschaften der implantierten Strukturen werden mit Magnetotransportmessungen untersucht.