Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Poster II
HL 44.2: Poster
Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A
Herstellung einer lateralen Py/GaSb/InAs Spinventil-Geometrie — •M. Wahle1, T. Last1, S.F. Fischer1, U. Kunze1, C. Schwender2 und H. Fouckhardt2 — 1Werkstoffe und Nanoelektronik, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum — 2FB Physik, TU Kaiserslautern, 67653 Kaiserslautern
Für den elektrischen Nachweis der Spinakkumulation in einem Halbleiter in lateraler Spinventil-Geometrie wird eine GaSb(5 nm)/InAs(15 nm)/AlSb(20 nm)-Heterostruktur mit hochremanenten Permalloy-(Py)-Elektroden kontaktiert. Aufgrund der Ausbildung einer Schottky-Barriere zwischen Py und GaSb kann diese als Tunnelbarriere zum InAs-Transportkanal dienen. Mittels Magnetotransportmessungen wurden die Elektronendichte n ≈ 1.5·1012 cm−2 und die mittlere Beweglichkeit µ ≈ 30000 cm2/Vs des 2DEGs im InAs bestimmt. Die Herstellung der lateralen Nanostrukturen erfolgt in drei Schritten. Eine Isolation des Ferromagnet-Halbleiter Kontaktes von der Metallkontaktierung wird durch Aufsputtern von 200 nm SiO2 erzielt. In einem optischen Lithographieschritt wird ein 20 µm breites Kontaktfenster zum GaSb geöffnet. Die Py-Elektroden (Länge: 150 µm, Breiten: 2 µm, 0.4 µm, Abstand: 200 nm, Dicke: 30 nm) werden mittels Elektronenstrahllithographie, Elektronenstrahlverdampfung und anschließendem Lift-off über dieses Kontaktfenster gelegt. Erste Ergebnisse zum winkelabhängigen Magnetowiderstand werden präsentiert.