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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.43: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Elektronische Eigenschaften schneller Phasenwechsellegierungen — •Henning Dieker, Iris Klöcker, Wojciech Wełnic, Daniel Severin und Matthias Wuttig — I. Physikalisches Institut 1a, RWTH-Aachen

Chalkogenidlegierungsschichten, die Anwendung in wiederbeschreibbaren optischen Datenspeichern wie CD-RW oder DVD±RW finden, zeigen neben einem starken optischen Kontrast zwischen der kristallinen und der amorphen Phase einen noch ausgeprägteren Unterschied der Widerstände der beiden Phasen. Daher sind diese Legierungen die Kandidaten für künftige nicht flüchtige elektronische Speicher auf resistiver Basis, die sogenannte OUM/Phase-Change RAM Technologie. Die geeigneten Legierungen fallen alle in den Bereich der IV-VI Halbleiter. Unsere Bandstrukturrechnungen auf Basis der Dichtefunktionaltheorie zeigen dabei systematische Trends in Abhängigkeit der Stöchiometrie auf. Parallel dazu wird die Stöchiometrieabhängigkeit durch Messung der optischen Bandlücke, der Aktivierungsbarriere für den elektronischen Transport sowie der Photolumineszenz an amorphen und kristallinen Schichten bestätigt. Dieses systematische Verständnis ermöglicht die Auswahl der optimalen Legierung für die jeweilige Anwendung.