Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.44: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Elektrische Eigenschaften von Gold in plastisch verformten Silizium — •Oliver Voß¹, Vitaly Kveder², Wolfgang Schröter¹, Karsten Thiel¹ und Michael Seibt¹ — ¹IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Tammannstr. 1, 37077 Göttingen — ²Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Science, Chernogolovka, 142432 Moscow reg., Russland

Unter Ausnutzung der Diffusionseigenschaften von Gold in plastisch verformtem Silizium konnten unterschiedlich stark golddotierte Bereiche einer n-Siliziumprobe mittels DLTS untersucht werden. Neben den wohlbekannten Maxima des DLTS-Spektrums von versetzungshaltigem Silizium zeigte das Spektrum mit höherer Goldkonzentration ein Maximum, das bei geringerer Konzentration nicht aufgelöst werden konnte. Die Punktdefekteigenschaften dieses Maximums sind vergleichbar denen des Gold-Akzeptorniveaus. Außerdem zeigt es das Verhalten eines Punktdefektes mit Einfangbarriere.