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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.56: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Intrinsische C-Dotierung von AlGaAs — •Volker Gottschalch¹, Gunnar Leibiger¹, Gabriele Benndorf² und Dietmar Hirsch³ — ¹Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — ²Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnestr. 5 , 04103 Leipzig — ³Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V, Permoserstr. 15, 04303 Leipzig

Bei der MOVPE kann die intrinsische C-Dotierung zur Erzielung hoher Löcherkonzentrationen und definierter Dotierungsprofile genutzt werden.

Wir haben den C-Einbau bei der MOVPE von Al_xGa_1−xAs in Abhängigkeit der Mischkristallzusammensetzung, der Züchtungstemperatur und des V/III-Verhältnisses im System TMGa, TMAl, AsH₃, bzw. TBAs untersucht. Die Charakterisierung des epitaktischen Materials erfolgte mittels Doppelkristalldiffraktometrie, Hallmessungen, Photolumineszenz, Ellipsometrie, Transmissionselektronen- und Kraftmikroskopie.

Löcherkonzentrationen von 10¹⁸ bis 10²⁰ cm⁻³ konnten durch eine Variation des V/III-Verhältnisses von 50 bis 3 und der Wachstumstemperatur zwischen 600 und 540^∘C reproduzierbar eingestellt werden. Ein Zusammenhang zwischen dem C-Einbau und der Mischkristallzusammensetzung wurde beobachtet.

Die erhalten Laserdaten an Doppel-QW-Strukturen (λ ∼ 1200 nm) mit Zn- bzw. C-dotierten Mantelschichten werden diskutiert.