Regensburg 2004 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Poster II
HL 44.57: Poster
Thursday, March 11, 2004, 16:30–19:00, Poster A
Ellipsometrie an C-dotiertem AlGaAs: Grundlagen und Anwendungen — •Gunnar Leibiger1, Volker Gottschalch1 und Tino Hofmann2 — 1Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — 2Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnestr. 5, 04103 Leipzig
Die intrinsische C-Dotierung von MOVPE-gewachsenen AlGaAs-Schichten ermöglicht die Erzielung abrupter Dotierungsprofile und bietet damit eine interessante Alternative zur p-Dotierung mittels Zink.
Die Bestimmung der Aluminium-Konzentration dieser Schichten ist wegen des zusätzlichen C-Einbaus mittels Röntgenbeugung allein nicht möglich. In dieser Arbeit wird ein Verfahren zur Bestimmung der Aluminiumkonzentration vorgestellt, das auf der Verschiebung des kritischen Punktes E1 beruht. Dazu wurden alle Schichten mittels Ellipsometrie im infraroten bis ultravioletten Spektralbereich untersucht. Aus den Infrarot-Ellipsometrie-Untersuchungen wurden Trägerkonzentrationen und Beweglichkeiten gewonnen.
Anwendungen der untersuchten Schichten in Tunneldioden und als Wellenleiterschichten in kantenemittierenden Laserdioden werden vorgestellt. Letztere werden verglichen mit entsprechenden Laserdioden, in denen Zn-dotierte AlGaAs-Schichten als p-Wellenleiter fungieren.