Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.58: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Wachstum von nadelförmigen III-V-Kristallen mittels MOVPE — •Jens Bauer¹, Helmut Herrnberger¹, Volker Gottschalch¹ und Gerald Wagner² — ¹Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnestr. 3, 04103 Leipzig — ²Universität Leipzig, Institut für Mineralogie, Kristallographie und Materialwissenschaft, Scharnhorststr.20 , 04275 Leipzig

Die VLS-Methode (vapor-liquid-solid) ermöglicht die Abscheidung von nadelförmigen Halbleiterstrukturen aus der Gasphase. Unter Verwendung von Goldtropfen, die beim Schmelzen einer dünnen Goldschicht selbstorganisiert entstehen, oder Ga- bzw. In-Tropfen, die sich insitu bei niedrigem V/III-Verhältnis ausbilden, wurden auf verschiedenen Substraten (GaAs, Ge, Si, Al₂O₃) GaAs- und InAs-Nadeln mit unterschiedlichem Habitus und Durchmesser bis zu 200nm hergestellt. Der Einfluss der Wachstumsbedingungen und der Tröpfchengröße auf die Morphologie wird diskutiert. Mittels Transmissionselektronen-mikroskopie und hochaufgelöster Transmissionselektronenmikroskopie konnte senkrecht zur Wachstumsrichtung eine Stapelfehler- und Zwillingsbildung nachgewiesen werden. Bei Durchstrahlung in Wachstumsrichtung ergab sich eine perfekte Kristallstruktur.