Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.62: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Der strukturelle Übergang zwischen c-Si/a-Ge entlang der Grenzfläche — •Karsten Thiel¹, Nikolai Borgardt², Boris Plikat³, Tore Niermann¹ und Michael Seibt¹ — ¹IV. Phys. Inst. der Uni Göttingen und SFB 602, Tammannstr. 1, 37077 Göttingen — ²Moscow Inst. of Electronic Technologie, 124498 Moscow, Russland — ³Infineon Technologies, Regensburg

Der strukturelle Übergang zwischen amorphen und kristallinen Materialien wird auf der Basis der hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) mittels einer Methode, die die Mittelung der Abbildungen entlang der Grenzfläche beinhaltet, am System c-Si/a-Ge untersucht. Diese gemittelten Abbildungen können unter Verwendung einer zwei-dimensionalen Verteilungsfunktion, die auf der amorphen Seite durch die mittlere atomare Dichte an der Grenze und auf der kristallinen Seite durch die bekannten Positionen der Atome beschrieben wird, mittels konventioneller Verfahren simuliert werden.

Durch Verschieben des Mittelungsbereiches und Variationen in der Grösse ist es desweiteren möglich, Informationen über den Verlauf des Übergangs entlang der Grenze zu erhalten.

Es zeigt sich, dass das amorphe Germanium lagenartig auf dem kristallinen Substrat aufwächst. Dabei ist die erste Lage homogen entlang der Grenzfläche verteilt und kann als tetragonal verspanntes kristallines Germanium aufgefasst werden. Laterale Variationen im strukturellen Übergang machen sich im Wesentlichen in der zweiten und dritten Lage bemerkbar.

[1] N.I. Borgardt et al., Ultramicroscopy 90 (2002), 241.