Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.63: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Reifung von Versetzungsringen in Silizium während Aluminiumgettern — •Carsten Rudolf, Yue-Lin Huang und Michael Seibt — IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Tammannstrasse 1, D-37077 Göttingen, Deutschland

Wir haben die Reifung von extrinsischen Versetzungsringen in Si während Aluminiumgettern (AlG) untersucht. Das Ziel war herauszufinden, ob beim AlG an der Grenzfläche zwischen der Al:Si-Schmelze Eigenfehlstellen entstehen und in das Si-Substrat eindiffundieren.

Extrinsische Versetzungsringe sind Ausscheidungen von Eigenzwischengitteratomen und reagieren auf Ströme von Eigenfehlstellen durch Wachstum oder Schrumpfen. Mit Dunkelfeld-Transmissionselektronenmikroskopie haben wir die Anzahl der in den Versetzungsringen gespeicherten Atome vor und nach AlG sowie in Referenzproben ohne Al-Schicht in Abhängigkeit von der Dauer der Temperaturbehandlung gemessen.

Der Vergleich der gegetterten Proben mit dem Ausgangsmaterial deutet auf eine schwache Injektion von Eigenzwischengitteratomen hin. Die Messungen an den Referenzproben zeigen allerdings eine vergleichbare Injektion, so dass sich insgesamt schließen lässt, dass das AlG die Konzentration von Eigenfehlstellen nicht wesentlich beeinflusst.