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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.70: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Übergangsmetall-Donator Paare in Si — •R. Vianden¹, D. Brett², A. Byrne³ und M. Ridgway² — ¹Helmholtz-Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14-16, D-53115 Bonn — ²Dep. of Electronic Materials Engineering — ³Dep. of Nuclear Physics, RSPhysSE, Australian National University, Canberra ACT 0200, Australia

Die Wechselwirkungen zwischen Übergangsmetallverunreinigungen und Dotierungsatomen können die Funktion von Halbleiterbauelementen gravierend beeinflussen. Da die Löslichkeit der Übergangsmetalle in Halbleitern wie Si und Ge sehr klein ist, ist es oft unmöglich, ihr Verhalten mit klassischen Methoden zu beobachten. Die Methode der gestörten γ-γ Winkelkorrelation (PAC) kommt dagegen mit extrem geringen Fremdatomkonzentrationen aus. Wir haben das PAC-Sondenatom ¹⁰⁰Pd in As dotiertes Silizium implantiert, um die Wechselwirkung geringer Pd Verunreinigungen mit den Donatoratomen zu beobachten. Erste Ergebnisse zeigen, dass bis zu 30% der Pd Sonden an As Donatoratomen eingefangen werden. Die beobachtete Quadrupolwechselwirkung, ν_Q = 10,2(1) MHz, η = 0 und eine <111> Orientierung des elektrischen Feldgradienten legen den Einbau auf einem dem As benachbarten substitutionellen Gitterplatz nahe.