Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Poster II
HL 44.81: Poster
Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A
Einbau von Phosphor in GaN auf Si(111) mittels MOVPE — •Karsten Fehse, Armin Dadgar, Annette Diez, Fabian Schulze, Thomas Hempel, Till Riemann, Peter Veit und Alois Krost — Otto-von-Guericke Universität, Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 1, 39016 Magdeburg
Im Augenblick gibt es sehr wenige Erfahrungen zur Herstellung von ternären GaN1−xPx Verbindungen. Lediglich zur Stickstoffdotierung von GaP:N liegen Erfahrungen vor. Wir untersuchen den Einbau von Phosphor in GaN mittels MOVPE. Es wurden GaN:P auf GaN/Si(111) gewachsen. Photolumineszenz- und Kathodolumineszenzmessungen zeigen starke Änderungen der Spektren in Abhängigkeit von der Wachstumstemperatur und dem Phosphinangebot. XRD-Messungen und REM-Aufnahmen der Oberflächenmorphologie zeigen einen deutlichen Umschwung der strukturellen Eigenschaften aufgrund des unterschiedlich starken Phosphoreinbaus. Anhand von TEM-Aufnahmen der GaN:P-Proben wird das Einbauverhalten bei einem Phosphinangebot von 0.05 - 5ml/min bei 800∘C bis 1100∘C diskutiert.