Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Poster II
HL 44.82: Poster
Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A
Photoelektrochemische Strukturierung von SiC und laterales überwachsen mit GaN/AlxGa1−xN — •B. Postels, N. Riedel, D. Fuhrmann, U. Rossow und A. Hangleiter — TU Braunschweig, Inst. f. Techn. Physik, 38106 Braunschweig; b.postels@tu-bs.de
Laterales Wachstum erzielt eine Defektreduktion, die für eine verlängerte Lebensdauer von blauen und ultravioletten Leuchtdioden- und Lasern nötig ist. Hier wird laterales Wachstum auf strukturiertem SiC betrachtet. Zur Strukturierung des chemisch sehr beständigen SiC wurde ein photoelektrochemischer Ätzprozess entwickelt, wobei typischerweise mit Schwefelsäure SiC in den Fenstern von Metallmasken oxidiert wird. Das Oxid wird mit HF entfernt, wobei 1-2µm tiefe Gräben entstehen. Durch Variation der Ätzbedingung wird versucht noch tiefere und bessere Ätzprofile zu erhalten. Dabei scheinen Diffusionsprozesse im Elektrolyt in der Nanostruktur des Oxids begrenzend zu sein. Die so erhaltenen Stegstrukturen wurden mit GaN und AlxGa1−xN überwachsenen. Bei GaN konnte laterales Wachstum ausgehend von den Stegseitenflächen mit reduzierter Defektdichte und vollständiger Koaleszenz sowohl beim undotierten als auch beim n-dotierten GaN festgestellt werden. Problematischer war das überwachsen mit AlxGa1−xN, bei dem bei vergleichbaren Wachstumsbedingungen eine geringere laterale Wachstumsrate festgestellt wurde. Zudem ergab sich in Photolumineszenzuntersuchungen deutlich separierte bandkantennahe Emissionen, die darauf hindeuten, daß die Aluminiumkonzentrationen xAl in den lateral gewachsenen Bereichen reduziert ist. Das Verhalten unterscheidet sich zwischen den Stegorientierungen in [1100 und [1120] Richtung.