Regensburg 2004 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.83: Poster

Thursday, March 11, 2004, 16:30–19:00, Poster A

Zusammensetzungsanalyse an getemperten InGaN-Quantumwell-Strukturen mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM) — •C. Bilzer¹, K. Engl¹, J. Zweck¹, A. Leber², A. Weimar², A. Lell² und V. Härle² — ¹Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, Universitätsstr. 31, D-93053 Regensburg, Germany — ²OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, D-93049 Regensburg, Germany

Die Eigenschaften von Halbleiterlasern auf GaN-Basis hängen wesentlich vom Aufbau der aktiven Zone ab. Durch die Transmissionselektronenmikroskopie wird die Abbildung der aktiven Zone mit atomarer Auflösung ermöglicht. Die Auswertung entsprechender HRTEM Abbildungen mittels des Software-Pakets DALI (Digital Analysis of Lattice Images) [1] liefert aus den Gitterabständen den lokalen In-Gehalt in den Quantumwells. Untersucht wurden Einfach- und Mehrfach-Quantumwellstrukturen mit unterschiedlichem In-Gehalt. Insbesondere wurde die Auswirkung von variierenden Temperschritten auf die Homogenität der In-Verteilung in den Quantumwells analysiert.

[1] A. Rosenauer et al.: Optik 102(2), 63 (1996)