Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.85: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Ultraschmale Linienbreiten von InGaN Quantenfilmemissionen mit hochaufgelöster optischer Rasternahfeldspektroskopie — •G. Klewer, F. Hitzel, U. Rossow und A. Hangleiter — Institut für Technische Physik, Technische Universität Braunschweig, Mendelssohnstr. 2, D-38106 Braunschweig

Trotz industrieller Fertigung von InGaN basierten Lichtemittern gibt es in diesem Materialsystem noch immer viele offene Fragen, eine davon die Unwirksamkeit der Defekte als nichtstrahlende Rekombinationszentren. In diesem Zusammenhang wurden derartige Strukturen bei tiefen Temperaturen von etwa 20 K mit einem optischen Nahfeldmikroskop (SNOM) untersucht. Dieses liefert einerseits eine sehr hohe örtliche Auflösung und andererseits an jedem Punkt der Probe ein komplettes optisches Spektrum. In vielen Fällen lieferte die Beobachtung mit dem SNOM neben der Hauptemission von ca. 2,9 eV viele weitere Emissionen mit Linienbreiten von ca. 2 nm, die allein durch das spektrale Auflösungsvermögen der Apparatur begrenzt wurden. Diese liegen im Vergleich zur Hauptemission etwa 150 - 200 meV höherenergetisch. Ebenso sind sie lokal begrenzt, jede Emission tritt nur in einem kleinen Gebiet von ca. 200 - 300 nm Durchmesser auf. Aus anderen für diese Proben eher untypischen Emissionsmerkmalen konnte eine räumliche Auflösung in der Größenordnung von λ/10 festgestellt werden. Entgegen der landläufigen Meinung, dass die Emission in InGaN Quantenfilmen von lokal begrenzten Gebieten kleinerer Bandlücke herrührt, zeigen diese Messungen eher ein entgegengesetztes Verhalten, nämlich dass in der Tat Gebiete andersartiger Bandlücke existieren, diese aber eine größere Bandlücke besitzen.